一、双极型晶体管的起源

双极型晶体管由贝尔实验室研究团队于1947年发明，最初晶体管采用点接触技术，连接金属线与锗衬底。尽管早期晶体管结构简陋，却对电子工业和人类生活产生深远影响。

现代双极型晶体管采用硅作为衬底，使用耦合p-n结代替点接触，结构可为p-n-p或n-p-n型。

晶体管是一种多结半导体器件，常与其他电路器件结合使用，以实现电压、电流或信号功率增益。

双极型晶体管，又称双极型结晶体管(BJT)，是半导体器件中最重要的之一，广泛应用于高速电路、模拟电路、功率放大等领域。

二、什么是P-N结？

P-N结由P型半导体和N型半导体接触形成，类似正方形的泥巴中包含孔洞和龙虾。

P-N结具有整流性，只允许电流单向流动，类似于门的开闭。

正向偏压使耗尽区宽度减小，反向偏压使耗尽区宽度增加。

三、双极型晶体管的结构：

双极型晶体管具有发射区、基区和集电区，形成两个P-N结。

晶体管电路符号显示各电流成分和电压极性，箭头和“+”、“-”符号表示晶体管在放大模式下的电流方向和电压极性。

n-p-n双极型晶体管的结构与p-n-p双极型晶体管互补，电流方向和电压极性相反。

四、双极型晶体管放大模式

双极型晶体管在放大模式下，射基结为正向偏压，集基结为反向偏压。

发射极电流由发射区注入的空穴和基区注入的电子组成，集电极电流由基区注入的电子和集电区流往基区的电子组成。

双极型晶体管具有四种工作模式：放大、饱和、截止和反转。

五、异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管(HBT)具有较高速度，可用于光电、微波和数字应用。

基本HBT结构采用AlxGa1-xAs/GaAs材料系统，具有高速特性。

六、可控硅器件及相关功率器件

可控硅器件是一种重要的功率器件，可用于高电压和高电流的控制。

可控硅器件由三个串接的p-n结组成，具有广泛的电流、电压控制能力。