蒙特卡洛仿真，一种依靠随机抽样估算数学函数值的分析手段，其准确性随着样本数量的增加而提升，尽管存在误差。这种方法尤其在处理器件参数变化分析时表现出色，如工艺角分析中的电路偏差评估。如图所示，工艺角变化的覆盖范围并不一定全面，因此通过Monte Carlo模拟能更精确地计算出实际工艺变化对电路性能的影响，进而预测良率。

进行Monte Carlo分析的前提是确认工艺库支持，如果工艺库不支持，可能需要自建失配模型。即便库已支持，也需通过仿真验证其准确性。MOS管的阈值电压是失配的关键，有时工艺库的估算可能不准确，可以借助拉扎维模型（依赖于栅氧厚度）进行修正。下面是一些实际的HSPICE文件示例，展示了1.8V和5V器件在不同尺寸下的200次蒙特卡洛仿真结果，分别针对NMOS和PMOS器件。

对于1.8V NMOS器件的蒙特卡洛仿真，其[公式]...

1.8V PMOS器件的[公式]...

在5V器件方面，1.8V NMOS的[公式]...

而5V PMOS的[公式]...